层错和位错的本质区别
层错和位错都属于晶体缺陷，但它们的本质区别在于其产生的原因和具体特征。
层错是晶体中相邻晶面的错排，主要由晶格平面的滑移所引起。层错的产生是因为晶格面在晶体内发生部分滑移，导致晶体中某些晶片位置发生了错位。层错可以分为位错线、位错面和位错环等不同类型，并会在晶体中形成一系列相互关联的位错。
位错则是晶体中原子定位的错乱，主要由于晶格中的原子或离子没有按预定位置排列而引起。位错可以是单个原子位移，也可以是原子排列的阵列。位错通常由原子的滑移、融合或发生错位等造成，会导致晶体中局部区域的原子位置发生偏离，形成不完整的晶格结构。
综上所述，层错和位错的本质区别在于前者是晶格面的错排而后者是原子位置的错乱。
层错能越低,位错越不容易滑移
层错能（也称为层错能）是指在晶体中，相邻层之间在一定温度和应力条件下能够相互滑移的能力。层错能越低，意味着相邻层之间的结合力相对较弱，因此在受到外力作用时，层错更容易发生滑移。
位错是晶体中原子排列的一种特殊方式，它是晶体中一种线缺陷。位错在晶体中的滑移是晶体塑性变形的主要机制之一。当外力作用于晶体时，位错会沿着其滑移方向移动，从而引起晶体的塑性变形。
层错能越低，位错越不容易滑移的原因主要有以下几点：
1. 层错能低意味着层间结合力弱：在层错能低的晶体中，相邻层之间的原子键合较弱，因此在受到外力作用时，这些层更容易发生相对位移，即位错滑移。
2. 位错与层错的关系：位错通常位于层错附近，并沿着层错线滑移。因此，如果层错能低，位错就更容易在层错附近发生滑移。
3. 塑性变形机制：在塑性变形过程中，位错的滑移是主要的变形机制之一。然而，当层错能较低时，由于层间结合力弱，位错在滑移过程中遇到的阻力相对较小，因此更容易实现滑移。
综上所述，层错能越低，位错确实越不容易滑移。这一结论对于理解和设计具有特定性能的晶体材料具有重要意义。